TK17E65W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | TK17E65W,S1X |
---|---|
Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $3.24 |
10+ | $2.909 |
100+ | $2.3833 |
500+ | $2.0288 |
1000+ | $1.7111 |
2000+ | $1.6255 |
5000+ | $1.5644 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 900µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
Serie | DTMOSIV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 8.7A, 10V |
Verlustleistung (max) | 165W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 300 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 17.3A (Ta) |
Grundproduktnummer | TK17E65 |
TK17E65W,S1X Einzelheiten PDF [English] | TK17E65W,S1X PDF - EN.pdf |
TOSHIBA TO220F 1349+
TK17N65W TOSHIBA
TK17E80W TOSHIBA
TOSHIBA TO-220F
TK17E65W TOSHIBA
Toshiba TO-220
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
TOSHIBA TO220
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
TOSHIBA TO-220F
TK17A80W TOSHIBA/
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
TOSHIBA TO-3P
TK17E80WS1X Toshiba
TOSHIBA TO-220F
TK17J65U TOS
TK17A80W,S4X(S TOSHIBA
TOSHIBA TO220
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() TK17E65W,S1XToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|